型号: | MMBZ5231BW-TP |
厂商: | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 5.1 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | PLASTIC PACKAGE-3 |
文件页数: | 2/3页 |
文件大小: | 172K |
代理商: | MMBZ5231BW-TP |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBZ5236BW-TP | 7.5 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5239BW-TP | 9.1 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5256BW-TP | 30 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5257BW-TP | 33 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5232BL | 5.6 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBZ5231C-G3-08 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
MMBZ5231C-HE3-08 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
MMBZ5231C-HE3-18 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
MMBZ5231C-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 5.1 Volt 0.3W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5231C-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 5.1 Volt 0.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |