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参数资料
| 型号： | MMBZ5232/E8 |
| 厂商： | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 5.6 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | MMBZ5232/E8 |
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
MMBZ5225 thru MMBZ5267
Zener Diodes
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MV1858EE-5% | 1 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MV1860D-2% | 2.2 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MBRB20H90CT/81 | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| MG052S14A300RX | BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| MMSZ5237CW | 8.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5232ELT1 | 功能描述:稳压二极管 5.6V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5232ELT1G | 功能描述:稳压二极管 5.6V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5232ELT1T3G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Zener Voltage Regulators |
| MMBZ5232ELT3 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Zener Voltage Regulators |
| MMBZ5232ELT3G | 功能描述:稳压二极管 5.6V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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