- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录229525 > MMBZ5233B-V-G08 (VISHAY SEMICONDUCTORS) 6 V, 0.23 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBZ5233B-V-G08 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 6 V, 0.23 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | GREEN PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | MMBZ5233B-V-G08 |
MMBZ5225-V to MMBZ5267-V
Vishay Semiconductors
18078
12
3
Document Number 85772
Rev. 1.5, 15-Sep-10
www.vishay.com
1
For technical questions within your region, please contact one of the following:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
Small Signal Zener Diodes
Features
Silicon planar power Zener diodes.
Standard Zener voltage tolerance is ± 5 %
with a “B” suffix (e.g.: MMBZ5225B-V),
suffix “C” is ± 2 % tolerance.
High temperature soldering guaranteed:
260 °C/ 4x 10 s at terminals.
These diodes are also available in
MiniMELF
case
with
the
type
designation
ZMM5225 to ZMM5267, SOD-123 case with the
type designation MMSZ5225-V to MMSZ5267-V.
AEC-Q101 qualified
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
Mechanical Data
Case: SOT-23
Weight: approx. 8.8 mg
Packaging codes/options:
GS18/10K per 13" reel (8 mm tape), 10K/box
GS08/3K per 7" reel (8 mm tape), 15K/box
Absolute Maximum Ratings
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Notes
1) On FR - 5 board using recommended solder pad layout
2) On alumina substrate
Thermal Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Note
1) On FR - 5 board using recommended solder pad layout
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Zener current
(see table "Characteristics")
Power dissipation
Ptot
225 1)
mW
Ptot
300 2)
mW
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Thermal resistance junction to
ambient air
RthJA
556 1)
°C/W
Maximum junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
Tstg
- 65 to + 175
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5258B-V-G08 | 36 V, 0.23 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMCZ5243C-V-G | 13 V, 0.23 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MBR1045CT | 10 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MA4E931C-135A | SILICON, ZERO BARRIER SCHOTTKY, X BAND, MIXER DIODE |
| MMBZ5245BLT1 | 15 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5233B-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 6.0 Volt 0.3W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5233B-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 6.0 Volt 0.3 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5233BW | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES |
| MMBZ5233BW-7 | 功能描述:DIODE ZENER 6V 200MW SC70-3 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳（标称）(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
| MMBZ5233BW7F | 制造商:Zetex / Diodes Inc 功能描述:Diode Zener Single 6V 5% 200mW 3-Pin SOT-323 T/R 制造商:Diodes Zetex 功能描述:Diode Zener Single 6V 5% 200mW 3-Pin SOT-323 T/R |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。