参数资料
型号: MMBZ5233BLG
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 6 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236
封装: LEAD FREE, SOT-23, PLASTIC, 2 PIN
文件页数: 5/6页
文件大小: 72K
代理商: MMBZ5233BLG
MMBZ5221BLT1 Series
http://onsemi.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
100
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Figure 5. Typical Capacitance
1000
100
10
1
10
1
BIAS AT
50% OF VZ NOM
TA = 25°C
0 V BIAS
1 V BIAS
12
VZ, ZENER VOLTAGE (V)
100
10
1
0.1
0.01
10
8
6
4
2
0
TA = 25°C
I Z
,ZENER
CURRENT
(mA)
VZ, ZENER VOLTAGE (V)
100
10
1
0.1
0.0110
30
50
70
90
TA = 25°C
I R
,LEAKAGE
CURRENT
(
A)
90
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Figure 6. Typical Leakage Current
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
80
70
60
50
40
30
20
10
0
+150
°C
+25
°C
55
°C
I Z
,ZENER
CURRENT
(mA)
Figure 7. Zener Voltage versus Zener Current
(VZ Up to 12 V)
Figure 8. Zener Voltage versus Zener Current
(12 V to 91 V)
相关PDF资料
PDF描述
MMBZ5236BLG 7.5 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236
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MBRB2060CT-GT4 20 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
MSP6471 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
MMBZ5233BLT1 功能描述:稳压二极管 6V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5233BLT1G 功能描述:稳压二极管 6V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5233BLT3 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Zener Voltage Regulators
MMBZ5233BLT3G 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Zener Voltage Regulators
MMBZ5233BS 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:200mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE