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参数资料
| 型号： | MMBZ5234B |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 6.2 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | MMBZ5234B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPTE-15C | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
| MPTE-36C | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
| MTZHJ6.8C | 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| MTZHJ8.2A | 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| MTZHV13A | 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5234B | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:ZENER DIODE 350MW 6.2V SOT-23 |
| MMBZ5234B_D87Z | 功能描述:稳压二极管 6.2V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5234B_Q | 功能描述:稳压二极管 6.2V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5234B-7 | 功能描述:稳压二极管 6.2V 350mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5234B-7-F | 功能描述:稳压二极管 6.2V 350mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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