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参数资料
| 型号： | MMBZ5236BLT3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 7.5 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, CASE 318-07, 3 PIN |
| 文件页数： | 10/20页 |
| 文件大小： | 258K |
| 代理商： | MMBZ5236BLT3 |
1SMB5913BT3 Series
Motorola TVS/Zener Device Data
7-156
3 Watt DC Power Data Sheet
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
Figure 1. Steady State Power Derating
0
25
50
75
100
125
150
6
5
4
3
2
0
T, TEMPERATURE (
°C)
P
,MAXIMUM
POWER
DISSIP
A
TION
(W
A
TTS)
D
10
20
30
50
100
200
300
500
1K
0.1
0.2 0.3 0.5
1
2
3
5
10
20 30 50
100
PW, PULSE WIDTH (ms)
P
,PEAK
SURGE
POWER
(W
A
TTS)
PK
Figure 2. Maximum Surge Power
RECTANGULAR
NONREPETITIVE
WAVEFORM
TJ =25°C PRIOR
TO INITIAL PULSE
Figure 3. Zener Voltage — To 12 Volts
2
4
6
8
10
12
10
8
6
4
2
0
–2
–4
VZ, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)
°
θ VZ
Figure 4. VZ = 3.3 thru 10 Volts
01
2
3
4
5
6
7
8910
100
50
30
20
10
1
0.5
0.3
0.2
0.1
VZ, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
I,
ZENER
CURRENT
(mA)
Z
2
5
3
Figure 5. VZ = 12 thru 82 Volts
0
1020
30
405060
70
8090
100
VZ, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
I
,ZENER
CURRENT
(mA)
Z
100
50
30
20
10
1
0.5
0.3
0.2
0.1
2
5
3
Figure 6. Effect of Zener Voltage
VZ, ZENER VOLTAGE (VOLTS)
5
7
10
20
30
50
70
100
200
100
70
50
30
20
10
7
5
3
2
Z
,DYNAMIC
IMPEDANCE
(OHMS)
Z
1
VZ @ IZT
10mA
IZ(dc) = 1mA
20mA
iZ(rms) = 0.1 IZ(dc)
TL
TA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5245BLT3 | 15 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| MMSZ4709T3 | 24 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ4712T3 | 28 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5226B | 3.3 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5231B | 5.1 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5236BLT3G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Zener Voltage Regulators |
| MMBZ5236BS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:200mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE |
| MMBZ5236BS-7 | 功能描述:稳压二极管 7.5V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5236BS-7-F | 功能描述:稳压二极管 7.5V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5236BT | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:150mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE |
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