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参数资料
| 型号： | MMBZ5237/E9 |
| 厂商： | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 8.2 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 125K |
| 代理商： | MMBZ5237/E9 |
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
MMBZ5225 thru MMBZ5267
Zener Diodes
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| MMBZ5230 | 4.7 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| MMBZ5239 | 9.1 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MMBZ5237ELT1T3G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Zener Voltage Regulators |
| MMBZ5237ELT3 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Zener Voltage Regulators |
| MMBZ5237ELT3G | 功能描述:稳压二极管 8.2V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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