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参数资料
| 型号： | MMBZ5237B |
| 厂商： | RECTRON LTD |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 8.2 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 243K |
| 代理商： | MMBZ5237B |
MMBZ5223B-
MMBZ5259B
2008-12
REV: A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25oC unless otherwise noted )
Max. Instantaneous Forward Voltage at IF= 10mA
Note 1.Valid provided that device terminals are kept at ambient temperature.
CHARACTERISTICS
SYMBOL
UNITS
357
0.9
Volts
oC/W
Thermal Resistance Junction to Ambient
MAXIMUM RATINGES ( @ TA = 25oC unless otherwise noted )
RATINGS
Max. Steady State Power Dissipation @TA=25oC
Max. Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
SYMBOL
PD
TJ
TSTG
R qJA
VF
VALUE
MAX.
-
TYP.
-
MIN.
UNITS
mW
350
-65 to +150
oC
SURFACE MOUNT ZENER DIODE
VOLTAGE RANGE 2.7 to 39 Volts POWER RATING 350 mWatts
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.
FEATURES
* Planar Die Constrruction
* 350 mW Power Dissipation
* Zener Volages from 2.7V-39V
*
MECHANICAL DA TA
* Case: Molded plastic
* Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed
* Mounting position: Any
* Weight: 0.008 gram
SOT-23
Ldeally Suited for Automated Assembly Processes
0.120(3.05)
0.015(0.37)
0.020(0.51)
0.003(0.076)
0.007(0.178)
0.104(2.65)
0.081(2.05)
0.070(1.78)
0.098(2.50)
0.083(2.10)
0.024(0.61)
0.018(0.45)
0.043(1.10)
0.035(0.89)
0.006(0.150)
0.001(0.013)
0.055(1.40)
0.047(1.20)
Dimensions in inches and (millimeters)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MLL5945B-1 | 68 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| MLL5951B-1 | 120 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| MLL6002UR-1 | 12 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| MLL6017UR-1 | 51 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
| MLL752A-1 | 5.6 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5237B | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:ZENER DIODE 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:ZENER DIODE, 350mW, 8.2V, SOT-23 |
| MMBZ5237B_D87Z | 功能描述:稳压二极管 8.2V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5237B_Q | 功能描述:稳压二极管 8.2V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5237B-7 | 功能描述:稳压二极管 8.2V 350mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5237B-7-F | 功能描述:稳压二极管 8.2V 350mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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