型号: | MMBZ5237BLG |
厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 8.2 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236 |
封装: | LEAD FREE, SOT-23, PLASTIC, 2 PIN |
文件页数: | 4/6页 |
文件大小: | 72K |
代理商: | MMBZ5237BLG |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MBRB3045CT-GT4 | 15 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
MMBZ5221B-T1 | 2.4 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MQSMCGLCE120E3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
MQSMCGLCE160AE3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
MQSMCGLCE58AE3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBZ5237BLT1 | 功能描述:稳压二极管 8.2V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5237BLT1G | 功能描述:稳压二极管 8.2V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5237BLT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Zener Diode |
MMBZ5237BLT1H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
MMBZ5237BLT3 | 功能描述:稳压二极管 8.2V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |