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参数资料
型号： MMBZ5238B
厂商： LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP
元件分类： 参考电压二极管
英文描述： 8.7 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装： GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
文件页数： 3/4页
文件大小： 236K
代理商： MMBZ5238B
MMBZ52xB Series
Typical Characteristics
Fig.1 Power Derating Curve
Fig.2 Typical Zener Breakdown Characteristics
Fig.3 Typical Zener Breakdown Characteristics
Fig.4 Typical Total Capacitance vs. Nominal Zener
Voltage
Fig.5 Typical Zener Impedence Characteristics
Fig.6 Maximum Non-repetitive Surge Power
相关PDF资料
PDF描述
MA1.5KE150CE3TR 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
MASMLJ7.0CE3 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB
MASMLJ75E3TR 3000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB
MLL4742E3 12 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AB
MLL5224C-1E3 2.8 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA
相关代理商/技术参数
参数描述
MMBZ5238B 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IC 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:ZENER DIODE, 350mW, 8.7V, SOT-23
MMBZ5238B_D87Z 功能描述:稳压二极管 8.7V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5238B_Q 功能描述:稳压二极管 8.7V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5238B-7 功能描述:稳压二极管 350MW 8.7V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5238B-7-F 功能描述:稳压二极管 350MW 8.7V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
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