- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录133420 > MMBZ5238BVT/R7 8.7 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBZ5238BVT/R7 |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 8.7 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | MMBZ5238BVT/R7 |
PAGE . 3
REV.0.1-NOV.3.2009
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
1000
100
10
1
75 C
O
5C
O
25 C
O
150 C
O
100
10
1
10
100
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
125
100
75
50
25
0
150
Fig.2 TEMPERATURE COEFFICENTS
Fig.4 TYPICAL FORWARD VOLTAGE
Fig.1 STEADY STATE POWER DERATING
NOMINAL ZENER VOLTAGE,VOLTS
FORWARD VOLTAGE, VOLTS
TEMPERATURE ( C)
O
TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
,(mV/
C)
O
POWER
DISSIP
A
TION,
W
atts
FOR
W
ARD
CURRENT
,mA
90
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
80
70
60
50
40
30
20
10
0
+150 C
O
+25 C
O
-55 C
O
Fig.3 TYPICAL LEAKAGE CURRENT
LEAKAGE
CURRENT
,uA
NORMAL ZENER VOLTAGE, VOLTS
MMBZ5221BV~MMBZ5262BV
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5247BWT/R7 | 17 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5248BT/R7 | 18 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5248BW | 18 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5249AT/R13 | 19 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5251AW | 22 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5238BW | 制造商:TYSEMI 制造商全称:TY Semiconductor Co., Ltd 功能描述:Planar Die Construction |
| MMBZ5238BW-7 | 功能描述:DIODE ZENER 8.7V 200MW SC70-3 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳（标称）(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
| MMBZ5238BW-7-F | 功能描述:DIODE ZENER 8.7V 200MW SC70-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳（标称）(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
| MMBZ5238BW-TP | 功能描述:稳压二极管 8.7V, 20mA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5238C-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 8.7 Volt 0.3W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。