参数资料
型号: MMBZ5239BLG
厂商: ON SEMICONDUCTOR
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 9.1 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236
封装: LEAD FREE, SOT-23, PLASTIC, 2 PIN
文件页数: 2/6页
文件大小: 72K
代理商: MMBZ5239BLG
MMBZ5221BLT1 Series
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Pinout: 1-Anode, 2-No Connection, 3-Cathode) (TA = 25°C
unless otherwise noted, VF = 0.95 V Max. @ IF = 10 mA)
Symbol
Parameter
VZ
Reverse Zener Voltage @ IZT
IZT
Reverse Current
ZZT
Maximum Zener Impedance @ IZT
IZK
Reverse Current
ZZK
Maximum Zener Impedance @ IZK
IR
Reverse Leakage Current @ VR
VR
Reverse Voltage
IF
Forward Current
VF
Forward Voltage @ IF
Zener Voltage Regulator
IF
V
I
IR
IZT
VR
VZ
VF
相关PDF资料
PDF描述
MMBZ5246BLG 16 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236
MBRB2060CT-GT4 20 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
MSP6471 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
MQSMCGLCE13AE3 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB
MQSMCGLCE7.5AE3 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB
相关代理商/技术参数
参数描述
MMBZ5239BLT1 功能描述:稳压二极管 9.1V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5239BLT1G 功能描述:稳压二极管 9.1V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5239BLT3 功能描述:稳压二极管 9.1V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5239BLT3G 功能描述:稳压二极管 9.1V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5239BS 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:200mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE