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参数资料
| 型号： | MMBZ5239BLT1T3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 9.1 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | MMBZ5239BLT1T3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5241BLT1T3 | 11 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| MBD101L | SILICON, UHF BAND, MIXER DIODE, TO-236AB |
| MMBD2838LT3 | 0.1 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| MMAD1107R2 | 16 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MV2105RLRE | HF-UHF BAND, 15 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5239BLT3 | 功能描述:稳压二极管 9.1V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5239BLT3G | 功能描述:稳压二极管 9.1V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5239BS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:200mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE |
| MMBZ5239BS-7 | 功能描述:稳压二极管 200MW 9.1V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5239BS-7-F | 功能描述:稳压二极管 200MW 9.1V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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