- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录30878 > MMBZ5240B-T1 (SENSITRON SEMICONDUCTOR) 11 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBZ5240B-T1 |
| 厂商： | SENSITRON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 11 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | MMBZ5240B-T1 |
0
10
20
30
40
50
01
2
3
4
5
6
7
89
10
I
,
ZENER
C
URRENT
(mA)
Z
V , ZENER VOLTAGE (V)
Fig. 2 Zener Breakdown Characteristics
Z
T = 25°C
j
C2V7
C3V3
C3V9
C4V7
C5V6
C6V8
C8V2
Test Current I
5.0mA
Z
0
2
4
6
8
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100
I
,
ZENER
CURRENT
(mA)
Z
V , ZENER VOLTAGE (V)
Fig. 4 Zener Breakdown Characteristics
Z
Tj = 25°C
Test Current I
2mA
Z
C39
C43
C47
C51
C
,
JUNCTION
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
j
10
100
1000
10
100
1
V , NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Fig. 5 Junction Capacitance vs Nominal Zener Voltage
Z
T = 25 °C
j
V= 1V
R
V= 2V
R
V= 1V
R
V= 2V
R
400
T , Ambient Temperature, (°C)
A
Fig. 1 Power Derating Curve
P
,
Power
Dissipation
(mW)
d
See Note 1
200
100
300
0
500
0
100
200
0
10
20
30
0
I
,
ZENER
CURRENT
(mA)
Z
V , ZENER VOLTAGE (V)
Fig. 3 Zener Breakdown Characteristics
Z
10
20
30
40
T = 25°C
j
Test current I
5mA
Z
Test current I
2mA
Z
C10
C12
C18
C22
C27
C33
C36
C15
! ! !!"#$
%&'(&)*+,,---.& ./012&%# %3& ./0
BZX84C2V7-G – BZX84C51-G
350mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE
Data Sheet 5204, Rev. –
SENSITRON
SEMICONDUCTOR
Green Products
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5257B-G | 33 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5256B-T1 | 30 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5223BLG | 2.7 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236 |
| MMBZ5230BLG | 4.7 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236 |
| MMBZ5232BLG | 5.6 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5240BT-7 | 功能描述:稳压二极管 150MW 10V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5240BT-7-F | 功能描述:稳压二极管 150MW 10V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5240B-TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述: |
| MMBZ5240BTS-7 | 功能描述:稳压二极管 200MW 10V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5240BTS-7-F | 功能描述:稳压二极管 200MW 10V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。