型号: | MMBZ5240B-TP |
厂商: | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 10 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | PLASTIC PACKAGE-3 |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 222K |
代理商: | MMBZ5240B-TP |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
MMBZ5244B-TP | 14 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5258B-TP | 36 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5245B-TP | 15 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5250B-TP | 20 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMD830-H20 | SILICON, STEP RECOVERY DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
MMBZ5240BTS-7 | 功能描述:稳压二极管 200MW 10V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5240BTS-7-F | 功能描述:稳压二极管 200MW 10V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5240B-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 10 Volt 0.3W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5240B-V-GS08/BKN | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:ZENER-DIODE, 0.3W, 5%, SOT-23, CUT TAPE |
MMBZ5240B-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 10 Volt 0.3 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |