参数资料
型号: MMBZ5240B-V-G-8
厂商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类: 参考电压二极管
英文描述: 10 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装: GREEN PACKAGE-2
文件页数: 2/5页
文件大小: 76K
代理商: MMBZ5240B-V-G-8
www.vishay.com
2
Document Number 85183
Rev. 1.0, 19-Oct-09
MMBZ5225-V-G to MMBZ5267-V-G
Vishay Semiconductors
For technical support, please contact: DiodesSSP@vishay.com
Electrical Characteristics
Tamb = 25 ° unless otherwise noted; Maximum VF = 0.9 V at IF = 10 mA
Notes
1)The zener Impedance is derived from the 1 kHz AC voltage which results when an AC current having an RMS value equal to 10 % of the
zener current (IZT or IZK) is superimposed on IZT or IZK. Zener Impedance is measured at two points to insure a sharp knee on the break-
down curve and to eliminate unstable units.
2) Measured at thermal equilibrium.
Part number
Marking
code
Nominal
Zener
voltage 2)
Test current
Maximum dynamic
impedance1)
Typical
temp.
of
coefficient
Maximum reverse
leakage current
VZ at IZT1
IZT1
ZZT at IZT
ZZK at IZK =
0.25 mA
α
VZ
IR
VR
V
mA
Ω
%/°C
μA
V
MMBZ5225-V-G
725
3
20
30
1600
- 0.075
50
1
MMBZ5226-V-G
726
3.3
20
28
1600
- 0.07
25
1
MMBZ5227-V-G
727
3.6
20
24
1700
- 0.065
15
1
MMBZ5228-V-G
728
3.9
20
23
1900
- 0.06
10
1
MMBZ5229-V-G
729
4.3
20
22
2000
- 0.055
5
1
MMBZ5230-V-G
730
4.7
20
19
1900
± 0.030
5
2
MMBZ5231-V-G
731
5.1
20
17
1600
± 0.030
5
2
MMBZ5232-V-G
732
5.6
20
11
1600
0.038
5
3
MMBZ5233-V-G
733
6
20
7
1600
0.038
5
3.5
MMBZ5234-V-G
734
6.2
20
7
1000
0.045
5
4
MMBZ5235-V-G
735
6.8
20
5
750
0.05
3
5
MMBZ5236-V-G
736
7.5
20
6
500
0.058
3
6
MMBZ5237-V-G
737
8.2
20
8
500
0.062
3
6.5
MMBZ5238-V-G
738
8.7
20
8
600
0.065
3
6.5
MMBZ5239-V-G
739
9.1
20
10
600
0.068
3
7
MMBZ5240-V-G
740
10
20
17
600
0.075
3
8
MMBZ5241-V-G
741
11
20
22
600
0.076
2
8.4
MMBZ5242-V-G
742
12
20
30
600
0.077
1
9.1
MMBZ5243-V-G
743
13
9.5
13
600
0.079
0.5
9.9
MMBZ5244-V-G
744
14
9
15
600
0.082
0.1
10
MMBZ5245-V-G
745
15
8.5
16
600
0.082
0.1
11
MMBZ5246-V-G
746
16
7.8
17
600
0.083
0.1
12
MMBZ5247-V-G
747
17
7.4
19
600
0.084
0.1
13
MMBZ5248-V-G
748
18
7
21
600
0.085
0.1
14
MMBZ5249-V-G
749
19
6.6
23
600
0.086
0.1
14
MMBZ5250-V-G
750
20
6.2
25
600
0.086
0.1
15
MMBZ5251-V-G
751
22
5.6
29
600
0.087
0.1
17
MMBZ5252-V-G
752
24
5.2
33
600
0.087
0.1
18
MMBZ5253-V-G
753
25
5
35
600
0.089
0.1
19
MMBZ5254-V-G
754
27
4.6
41
600
0.090
0.1
21
MMBZ5255-V-G
755
28
4.5
44
600
0.091
0.1
21
MMBZ5256-V-G
756
30
4.2
49
600
0.091
0.1
23
MMBZ5257-V-G
757
33
3.8
58
700
0.092
0.1
25
MMBZ5258-V-G
758
36
3.4
70
700
0.093
0.1
27
MMBZ5259-V-G
759
39
3.2
80
800
0.094
0.1
30
MMBZ5260-V-G
760
43
3
93
900
0.095
0.1
33
MMBZ5261-V-G
761
47
2.7
105
1000
0.095
0.1
36
MMBZ5262-V-G
762
51
2.5
125
1100
0.096
0.1
39
MMBZ5263-V-G
763
56
2.2
150
1300
0.096
0.1
43
MMBZ5264-V-G
764
60
2.1
170
1400
0.097
0.1
46
MMBZ5265-V-G
765
62
2
185
1400
0.097
0.1
47
MMBZ5266-V-G
766
68
1.8
230
1600
0.097
0.1
52
MMBZ5267-V-G
767
75
1.7
270
1700
0.098
0.1
56
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MMTZJ11C-BP 11.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
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MMBZ5240B-V-GS08/BKN 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:ZENER-DIODE, 0.3W, 5%, SOT-23, CUT TAPE
MMBZ5240B-V-GS18 功能描述:稳压二极管 10 Volt 0.3 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5240BW-7 功能描述:稳压二极管 200MW 10V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5240BW-7-F 功能描述:稳压二极管 200MW 10V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel