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参数资料
| 型号： | MMBZ5240B-V-G |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 10 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | GREEN PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | MMBZ5240B-V-G |
MMBZ5225-V-G to MMBZ5267-V-G
Vishay Semiconductors
Document Number 85183
Rev. 1.1, 15-Sep-10
www.vishay.com
4
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DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
Package Dimensions in millimeters (inches): SOT-23
Foot print recommendation:
Rev. 8 - Date: 23.Sept.2009
17418
Document no.: 6.541-5014.01-4
0.9 (0.035)
1 (0.039)
0.9 (0.035)
1 (0.039)
1.43
(0.056)
0.45 (0.018)
0.35 (0.014)
2.8 (0.110)
3.1 (0.122)
0.45 (0.018)
0.35 (0.014)
0.45 (0.018)
0.35 (0.014)
0.1
(0.004)
max.
2.35 (0.093)
2.6 (0.102)
0.175
(0.007)
0.098
(0.004)
1.15
(0.045)
0.9
(0.035)
1.20
(0.047)
0.95 (0.037)
2
(0.079)
0.7 (0.028)
0.9
(0.035)
0°
to
8°
0.2
(0.008)
0.3 (0.012)
0.5 (0.020)
0.550 ref. (0.022 ref.)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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