- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录149468 > MMBZ5240ELT3G (ON SEMICONDUCTOR) 10 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBZ5240ELT3G |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 10 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 73K |
| 代理商： | MMBZ5240ELT3G |
MMBZ5221ELT1 Series
http://onsemi.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
100
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Figure 5. Typical Capacitance
1000
100
10
1
10
1
BIAS AT
50% OF VZ NOM
TA = 25°C
0 V BIAS
1 V BIAS
12
VZ, ZENER VOLTAGE (V)
100
10
1
0.1
0.01
10
8
6
4
2
0
TA = 25°C
I Z
,ZENER
CURRENT
(mA)
VZ, ZENER VOLTAGE (V)
100
10
1
0.1
0.01
10
30
50
70
90
TA = 25°C
I R
,LEAKAGE
CURRENT
(
A)m
90
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Figure 6. Typical Leakage Current
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.00
1
0.0001
0.00001
80
70
60
50
40
30
20
10
0
+150°C
+25 °C
55 °C
I Z
,ZENER
CURRENT
(mA)
Figure 7. Zener Voltage versus Zener Current
(VZ Up to 12 V)
Figure 8. Zener Voltage versus Zener Current
(12 V to 91 V)
100
Figure 9. 8
× 20 ms Pulse Waveform
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
020
4060
80
t, TIME (
ms)
tP
tr
PULSE WIDTH (tP) IS DEFINED
AS THAT POINT WHERE THE
PEAK CURRENT DECAY = 8
ms
HALF VALUE IRSM/2 @ 20 ms
%
OF
PEAK
PULSE
CURRENT
PEAK VALUE IRSM @ 8 ms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSZ5235BS | 6.8 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MLL1.4KESD110C-TR | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-213AA |
| MLL1.4KESD48A-TR | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-213AA |
| MLL1.4KESD64C-TR | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-213AA |
| MQSMCGLCE14E3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5241A _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| MMBZ5241A_ R2 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| MMBZ5241B | 功能描述:稳压二极管 11V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5241B_D87Z | 功能描述:稳压二极管 11V 0.35W Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5241B-7 | 功能描述:稳压二极管 11V 350mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。