型号: | MMBZ5241C-V-G18 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 11 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | GREEN PACKAGE-3 |
文件页数: | 3/5页 |
文件大小: | 78K |
代理商: | MMBZ5241C-V-G18 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBZ5251-V-G | 22 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5256-V-G | 30 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5239B-V-G-08 | 9.1 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5240-V-G-08 | 10 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5256-V-G-08 | 30 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBZ5241C-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 11 Volt 0.3W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5241C-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 11 Volt 0.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5242B | 功能描述:稳压二极管 12V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5242B | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Zener Diode 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:ZENER DIODE, 350mW, 12V, SOT-23 |
MMBZ5242B_D87Z | 功能描述:稳压二极管 12V 0.35W Zener Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |