型号: | MMBZ5242B-TP |
厂商: | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 12 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | PLASTIC PACKAGE-3 |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 222K |
代理商: | MMBZ5242B-TP |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MBR1660CT-BP | 16 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
MP102-BP | 10 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
MR2410FR-BP | 24 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
MCL5230-TP | 4.7 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MCL5246B-TP | 16 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBZ5242BTS-7 | 功能描述:稳压二极管 200MW 12V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5242BTS-7-F | 功能描述:稳压二极管 200MW 12V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5242B-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 12 Volt 0.3W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5242B-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 12 Volt 0.3 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5242BW-13-F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:ZENER DIODE, SOT-323, 200MW, 12V, ROHS - Tape and Reel |