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参数资料
| 型号： | MMBZ5242BT-13 |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 12 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 74K |
| 代理商： | MMBZ5242BT-13 |
DS30267 Rev. 5 - 2
3 of 3
MMBZ5221BT - MMBZ5259BT
www.diodes.com
0
100
200
300
25
0
50
75
100
125
150
P
,
POWER
DISSIP
A
TION
(mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (
°C)
A
Fig. 1 Power Dissipation vs Ambient Temperature
T
C
U
D
O
R
P
W
E
N
C
,
T
O
T
A
L
C
AP
ACIT
ANCE
(pF)
T
10
100
1000
10
100
1
V , NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Z
Fig. 2 Total Capacitance vs Nominal Zener Voltage
T= 25 °C
j
V= 1V
R
V= 2V
R
1
10
100
1
10
100
P
,
PEAK
SURGE
P
OWER
(W)
PK
PULSE WIDTH (ms)
Fig. 4 Maximum Non-repetitive Surge Power
1000
1
10
100
1000
1
10
100
V , NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Z
Fig. 3 Zener Voltage vs. Zener Impedence
I = 1.0mA
Z
0
10
20
30
0
I
,
ZENER
CURRENT
(mA)
Z
V , ZENER VOLTAGE (V)
Z
Fig. 6 Zener Breakdown Characteristics
10
20
30
40
T = 25°C
j
Test current I
Z
10
12
18
22
27
33
36
15
39
Nominal Zener Voltage
0
10
20
30
40
50
01
2
3
4
5
6
7
89
10
I
,
ZENER
CURRENT
(mA)
Z
V , ZENER VOLTAGE (V)
Z
Fig. 5 Zener Breakdown Characteristics
T = 25°C
j
5V6
6V8
8V2
Test Current I
Z
20mA
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MMBZ5242BT-7-F | 功能描述:稳压二极管 150MW 12V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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| MMBZ5242BTS-7-F | 功能描述:稳压二极管 200MW 12V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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