型号: | MMBZ5243/E9 |
厂商: | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 13 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 125K |
代理商: | MMBZ5243/E9 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBZ5253B/E9 | 25 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
M1MA152WKT3 | 0.1 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
MV1858EE-2% | 1 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
MV1860H-5% | 2.2 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
MG052S05A150TP | BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBZ5243ELT1 | 功能描述:稳压二极管 13V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5243ELT1G | 功能描述:稳压二极管 13V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5243ELT3G | 功能描述:稳压二极管 13V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5244A _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
MMBZ5244A_ R2 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |