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参数资料
| 型号： | MMBZ5244C-GS08 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 14 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 97K |
| 代理商： | MMBZ5244C-GS08 |
www.vishay.com
4
Document Number 85772
Rev. 1.3, 08-Jul-04
VISHAY
MMBZ5225 to MMBZ5267
Vishay Semiconductors
Package Dimensions in mm (Inches)
2.0 (0.079)
0.9 (0.035)
0.95 (0.037)
0.52 (0.020)
1
2
3
17418
2.8 (.110)
3.1 (.122)
0.4 (.016)
0.95 (.037)
0.1 (.004) max.
1.20(.047)
1.43
(.056)
0.4 (.016)
0.098 (.005)
0.175 (.007)
0.95
(.037)
1.15
(.045)
2.35 (.092)
2.6 (.102)
ISO Method E
Mounting Pad Layout
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5245B-GS08 | 15 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5245B-GS18 | 15 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5245C-GS08 | 15 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5264-GS08 | 60 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MGUG040030L2RP | BIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| MMBZ5244C-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 14 Volt 0.3W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5244C-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 14 Volt 0.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5244ELT1 | 功能描述:稳压二极管 14V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5244ELT1G | 功能描述:稳压二极管 14V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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