型号: | MMBZ5245C-V-GS18 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 15 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 76K |
代理商: | MMBZ5245C-V-GS18 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBZ5252C-V | 24 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MBER1090CT | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
MMBZ4618-V-GS18 | 2.7 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
M100J-E3 | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL |
MLL5991UR | 4.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-213AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBZ5245ELT1 | 功能描述:稳压二极管 15V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5245ELT1G | 功能描述:稳压二极管 15V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5245ELT3G | 功能描述:稳压二极管 15V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5246A _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
MMBZ5246A_ R2 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |