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参数资料
| 型号： | MMBZ5245C-V |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 15 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | MMBZ5245C-V |
MMBZ5225-V to MMBZ5267-V
Document Number 85772
Rev. 1.5, 23-Feb-10
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
3
For technical support, please contact: DiodesSSP@vishay.com
Typical Characteristics (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)
Figure 1. Forward characteristics
Figure 2. Capacitance vs. Zener Voltage
Figure 3. Admissible Power Dissipation vs. Ambient Temperature
18114
mA
103
102
10-1
10-2
10-3
10-4
10-5
10
1
I
F
V
F
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1V
T
J = 100 °C
T
J = 25 °C
18118
1000
7
5
4
3
2
7
5
4
3
2
100
10
pF
C
tot
1
23
4 5
23
4 5
10
100 V
V
Z at IZ = 5 mA
T
J = 25 °C
V
R = 1 V
V
R = 2 V
V
R = 1 V
V
R = 2 V
18672
0
100
200 °C
250
mW
200
150
100
50
0
P
tot
T
amb
Figure 4. Pulse Thermal Resistance vs. Pulse Duration
18116
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
V = 0
P
I
tp
T
103
°C/W
7
5
4
3
2
7
5
4
3
2
7
5
4
3
2
102
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
110s
10
1
R
thA
tp
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| MMBZ5245ELT1 | 功能描述:稳压二极管 15V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5245ELT1G | 功能描述:稳压二极管 15V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5245ELT3G | 功能描述:稳压二极管 15V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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