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参数资料
| 型号： | MMBZ5246BL99Z |
| 厂商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 16 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | MMBZ5246BL99Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5252B | 24 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| ML4628P | 200 V, SILICON, PIN DIODE |
| MTZJT-722.2B | 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| MTZJT-726.2A | 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
| MTZJT-7739B | 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5246BLT1 | 功能描述:稳压二极管 16V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5246BLT1G | 功能描述:稳压二极管 16V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5246BLT3 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述:16 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| MMBZ5246BS-7 | 功能描述:稳压二极管 16V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5246BS-7-F | 功能描述:稳压二极管 16V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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