参数资料
型号: MMBZ5246C-V
厂商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 16 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装: ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件页数: 4/5页
文件大小: 76K
代理商: MMBZ5246C-V
www.vishay.com
4
Document Number 85772
Rev. 1.5, 23-Feb-10
MMBZ5225-V to MMBZ5267-V
Vishay Semiconductors
For technical support, please contact: DiodesSSP@vishay.com
Package Dimensions in millimeters (inches): SOT-23
Document no.: 6.541-5014.01-4
Rev. 8 - Date: 23. Sep. 2009
17418
0.1
(0.004)
max.
0.45 (0.018)
0.35 (0.014)
0.45 (0.018)
0.35 (0.014)
3.1 (0.122)
2.8 (0.110)
0.35 (0.014)
0.45 (0.018)
1.43
(0.056)
1.20
(0.047)
1 (0.039)
0.9 (0.035)
3
2
1
0.9
(0.035)
0.7 (0.028)
2
(0.079)
0.95 (0.037)
2.6 (0.102)
2.35 (0.093)
0.175
(0.007)
0.09
8
(0.004)
1.15
(0.045)
0.9
(0.035)
to
8
°
0.2
(0.00
8
)
0.5 (0.020)
0.3 (0.012)
0.550 ref. (0.022 ref.)
Mounting pad layout
1 (0.039)
0.9 (0.035)
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PDF描述
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参数描述
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MMBZ5246C-V-GS18 功能描述:稳压二极管 16 Volt 0.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5246ELT1 功能描述:稳压二极管 16V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5246ELT1G 功能描述:稳压二极管 16V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5246ELT3G 功能描述:稳压二极管 16V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel