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参数资料
| 型号： | MMBZ5250AT/R7 |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 20 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | MMBZ5250AT/R7 |
PAGE . 1
March 8,2011-REV.02
MMBZ5229A SERIES
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
NOTES:
A. Mounted on 5.0mm2(.013mm thick) land areas.
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
4.3 to 51 Volts
POWER
410 mWatts
FEATURES
Planar Die construction
410mW Power Dissipation
Ideally Suited for Automated Assembly Processes
In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
Case: SOT-23, Molded Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Polarity: See Diagram Below
Approx. Weight: 0.0048 grams
Mounting Position: Any
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0.
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0.008(0.20)
0.003(0.08)
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| MMBZ5250B_D87Z | 功能描述:稳压二极管 20V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5250B_Q | 功能描述:稳压二极管 20V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5250B-7 | 功能描述:稳压二极管 350MW 20V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5250B-7-F | 功能描述:稳压二极管 350MW 20V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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