型号: | MMBZ5250BT-7 |
厂商: | DIODES INC |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 20 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3 |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 74K |
代理商: | MMBZ5250BT-7 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MBR1660 | 16 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
MBR760/45 | 7.5 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
MBRB20H100CT/81 | 10 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
MB2S | 0.5 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, TO-269AA |
MMBZ4693/E8 | 7.5 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBZ5250BT-7-F | 功能描述:稳压二极管 150MW 20V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5250BTS-7 | 功能描述:稳压二极管 200MW 20V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5250BTS-7-F | 功能描述:稳压二极管 200MW 20V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5250B-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 20 Volt 0.3W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5250B-V-GS08/BKN | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:ZENER-DIODE, 0.3W, 5%, SOT-23, CUT TAPE |