型号: | MMBZ5250ELT3G |
厂商: | ON SEMICONDUCTOR |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 20 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
封装: | LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
文件页数: | 1/6页 |
文件大小: | 73K |
代理商: | MMBZ5250ELT3G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMSZ5237BS | 8.2 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMSZ5241B | 11 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MLL1.4KESD130-TR | UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-213AA |
MLL1.4KESD150C-TR | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-213AA |
MLL1.4KESD16C-TR | BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-213AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBZ5251B | 功能描述:稳压二极管 22V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5251B_D87Z | 功能描述:稳压二极管 22V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5251B_Q | 功能描述:稳压二极管 22V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5251B_S00Z | 功能描述:稳压二极管 22V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5251B-7 | 功能描述:稳压二极管 350MW 22V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |