参数资料
型号: MMBZ5251B
厂商: NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 22 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
文件页数: 1/2页
文件大小: 51K
代理商: MMBZ5251B
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PDF描述
MMBZ5254B 27 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
MSD6100RLRP 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-92
MURL150 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB
MBR2550CT 30 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
MX5312 RECTIFIER DIODE, DO-7
相关代理商/技术参数
参数描述
MMBZ5251B_D87Z 功能描述:稳压二极管 22V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5251B_Q 功能描述:稳压二极管 22V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5251B_S00Z 功能描述:稳压二极管 22V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5251B-7 功能描述:稳压二极管 350MW 22V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5251B-7-F 功能描述:稳压二极管 350MW 22V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel