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参数资料
| 型号： | MMBZ5252B-T1 |
| 厂商： | SENSITRON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 24 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | MMBZ5252B-T1 |
BZX84C2V7-G – BZX84C51-G
350mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE
Features
!
Planar Die Construction
L
!
350mW Power Dissipation
A
!
2.4 – 39V Nominal Zener Voltage
!
5% Standard Vz Tolerance
!
Designed for Surface Mount Application
B
C
!
Plastic Material – UL Recognition Flammability
Classification 94V-O
M
E
D
H
Mechanical Data
!
Case: SOT-23, Molded Plastic
K
!
Terminals: Plated Leads Solderable per
J
MIL-STD-202, Method 208
G
!
Polarity: See Diagram
!
Weight: 0.008 grams (approx.)
!
Marking: Device Code (See Table Next Page)
TOP VIEW
Maximum Ratings @T
A=25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Peak Pulse Power Dissipation at TA = 25°C (Note 1)
Pd
350
mW
Forward Voltage @ IF = 10mA
VF
0.9
V
Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 1)
RJA
357
°C/W
Operating and Storage Temperature Range
Tj, TSTG
-65 to +150
°C
Note: 1. Valid provided that device terminals are kept at ambient temperature.
TOP VIEW
Data Sheet 5204, Rev. –
SENSITRON
SEMICONDUCTOR
SOT-23
Dim
Min
Max
Min
Max
A
0.37
0.51
0.014
0.020
B
1.19
1.40
0.047
0.055
C
2.10
2.50
0.083
0.098
D
0.89
1.05
0.035
0.041
E
0.45
0.61
0.018
0.024
G
1.78
2.05
0.07
0.081
H
2.65
3.05
0.104
0.120
J
0.013 0.15
0.0005
0.006
K
0.89
1.10
0.035
0.043
L
0.45
0.61
0.018
0.024
M
0.076 0.17
0.003
0.007
In mm
In inch
! ! !!"#$
%&'(&)*+,,---.& ./012&%# %3& ./0
Green Products in Compliance with the
RoHS Directive
Green Products
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMAD1105-T7 | UNIDIRECTIONAL, 8 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| MSPSMCGLCE8.5AE3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
| MSPSMCJLCE14AE3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| MSPSMCJLCE16AE3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| MSPSMCJLCE60E3 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5252BT-7 | 功能描述:稳压二极管 150MW 24V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5252BT-7-F | 功能描述:稳压二极管 150MW 24V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5252B-TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode Zener Single 24V 5% 500mW 3-Pin SOT-23 T/R |
| MMBZ5252BTS-7 | 功能描述:稳压二极管 200MW 24V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5252BTS-7-F | 功能描述:稳压二极管 200MW 24V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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