- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录81607 > MMBZ5252BWT/R13 24 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBZ5252BWT/R13 |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 24 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 116K |
| 代理商： | MMBZ5252BWT/R13 |
PAGE . 1
June 11.2010-REV.00
MMBZ5221BW~MMBZ5262BW
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES
VOLTAGE
2.4 to 51 Volts
POWER
200 mWatts
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
NOTES:
A. Mounted on 100cm2(1mm thick) copper areas.
FEATURES
Planar Die construction
200mW Power Dissipation
Zener Voltages from 2.4V~51V
Ideally Suited for Automated Assembly Processes
In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
Case: SOT-323, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026
Apporx. Weight: 0.0001 ounce, 0.005 gram
Parameter
Symbol
Value
Units
Power Dissipation @TA=25oC(Note A)
PD
200
mW
Operating Junction and Storage Temperature Range
TJ
-55 to +150
OC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5256BT/R13 | 30 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ4712-V | 28 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ5222BT/R13 | 2.5 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ5232AT/R13 | 5.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ5232BST/R7 | 5.6 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5252C-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 24 Volt 0.3W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5252C-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 24 Volt 0.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5252ELT1 | 功能描述:稳压二极管 24V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5252ELT1G | 功能描述:稳压二极管 24V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5252ELT3G | 功能描述:稳压二极管 24V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。