型号: | MMBZ5252C-V-GS18 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 24 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 76K |
代理商: | MMBZ5252C-V-GS18 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBZ5260C-V | 43 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5226B-V-GS18 | 3.3 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5232C-V-GS08 | 5.6 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5255C-V | 28 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5235B-V-GS08 | 6.8 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBZ5252ELT1 | 功能描述:稳压二极管 24V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5252ELT1G | 功能描述:稳压二极管 24V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5252ELT3G | 功能描述:稳压二极管 24V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5253B | 功能描述:稳压二极管 25V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5253B/E9 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Diode Zener Single 25V 5% 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |