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参数资料
型号： MMBZ5252ELT3
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： 齐纳二极管
英文描述： 24 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
封装： PLASTIC, CASE 318-09, 3 PIN
文件页数： 3/10页
文件大小： 351K
代理商： MMBZ5252ELT3
MMBZ5221ELT1 Series
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Pinout: 1-Anode, 2-No Connection, 3-Cathode) (TA = 25°C
unless otherwise noted, VF = 0.95 V Max. @ IF = 10 mA)
Symbol
Parameter
VZ
Reverse Zener Voltage @ IZT
IZT
Reverse Current
ZZT
Maximum Zener Impedance @ IZT
IZK
Reverse Current
ZZK
Maximum Zener Impedance @ IZK
IR
Reverse Leakage Current @ VR
VR
Reverse Voltage
IF
Forward Current
VF
Forward Voltage @ IF
Zener Voltage Regulator
IF
V
I
IR
IZT
VR
VZ
VF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Pinout: 1-Anode, 2-NC, 3-Cathode) (VF = 0.9 V Max @ IF = 10 mA for all types.)
Zener Voltage (Note 5)
Zener Impedance
Leakage Current
Device
VZ (V)
@ IZT
ZZT @ IZT
ZZK @ IZK
IR @ VR
Device
Marking
Min
Nom
Max
mA
W
mA
V
MMBZ5221ELT1
BE2
2.28
2.4
2.52
20
30
1200
0.25
100
1
MMBZ5226ELT1
BE7
3.13
3.3
3.47
20
28
1600
0.25
25
1
MMBZ5228ELT1
BE9
3.70
3.9
4.10
20
23
1900
0.25
10
1
MMBZ5229ELT1
BF1
4.08
4.3
4.52
20
22
2000
0.25
5
1
MMBZ5230ELT1
BF2
4.46
4.7
4.94
20
19
1900
0.25
5
2
MMBZ5231ELT1
BF3
4.84
5.1
5.36
20
17
1600
0.25
5
2
MMBZ5232ELT1
BF4
5.32
5.6
5.88
20
11
1600
0.25
5
3
MMBZ5234ELT1
BF6
5.89
6.2
6.51
20
7
1000
0.25
5
4
MMBZ5235ELT1
BF7
6.46
6.8
7.14
20
5
750
0.25
3
5
MMBZ5236ELT1
BF8
7.12
7.5
7.88
20
6
500
0.25
3
6
MMBZ5237ELT1
BF9
7.79
8.2
8.61
20
8
500
0.25
3
6.5
MMBZ5239ELT1
BG2
8.65
9.1
9.55
20
10
600
0.25
3
7
MMBZ5240ELT1
BG3
9.50
10
10.50
20
17
600
0.25
3
8
MMBZ5242ELT1
BG5
11.40
12
12.60
20
30
600
0.25
1
9.1
MMBZ5243ELT1
BG6
12.35
13
13.65
9.5
13
600
0.25
0.5
9.9
MMBZ5244ELT1
BG7
13.30
14
14.70
9
15
600
0.25
0.1
10
MMBZ5245ELT1
BG8
14.25
15
15.75
8.5
16
600
0.25
0.1
11
MMBZ5246ELT1*
BG9
15.20
16
16.80
7.8
17
600
0.25
0.1
12
MMBZ5248ELT1
BH2
17.10
18
18.90
7
21
600
0.25
0.1
14
MMBZ5250ELT1
BH4
19.00
20
21.00
6.2
25
600
0.25
0.1
15
Devices listed in
bold, italic are ON Semiconductor Preferred devices. Preferred devices are recommended choices for future use and
best overall value.
4. Zener voltage is measured with a pulse test current IZ at an ambient temperature of 25°C.
*Not Available in the 10,0000/Tape & Reel.
相关PDF资料
PDF描述
MMBZ5246ELT3 16 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
MMC2107PU 32-BIT, FLASH, 33 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP100
MMC2107PV 32-BIT, FLASH, 33 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP144
MMC2113CFCPU33 FLASH, 33 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP100
MMC2114CFCVF33 FLASH, 33 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PBGA196
相关代理商/技术参数
参数描述
MMBZ5252ELT3G 功能描述:稳压二极管 24V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5253B 功能描述:稳压二极管 25V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5253B/E9 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Diode Zener Single 25V 5% 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
MMBZ5253B_D87Z 功能描述:稳压二极管 25V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
MMBZ5253B_Q 功能描述:稳压二极管 25V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
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