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参数资料
| 型号： | MMBZ5254C-V-GS08 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 27 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | MMBZ5254C-V-GS08 |
MMBZ5225-V to MMBZ5267-V
Document Number 85772
Rev. 1.5, 23-Feb-10
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
1
18078
12
3
For technical support, please contact: DiodesSSP@vishay.com
Small Signal Zener Diodes
Features
Silicon planar power zener diodes.
Standard Zener voltage tolerance is ± 5 %
with a "B" suffix (e.g.: MMBZ5225B-V),
suffix “C” is ± 2 % tolerance.
High temperature soldering guaranteed:
260 °C/ 4x 10 s at terminals.
These diodes are also available in MiniMELF case
with the type designation ZMM5225...ZMM5267,
SOD-123
case
with
the
type
designation
MMSZ5225-V... MMSZ5267-V.
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in
accordance to WEEE 2002/96/EC
Mechanical Data
Case: SOT-23
Weight: approx. 8.8 mg
Packaging codes/options:
GS18/10 k per 13" reel (8 mm tape), 10 k/box
GS08/3 k per 7" reel (8 mm tape), 15 k/box
Absolute Maximum Ratings
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Notes
1) On FR - 5 board using recommended solder pad layout
2) On alumina substrate
Thermal Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Note
1) On FR - 5 board using recommended solder pad layout
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Zener current
(see table "Characteristics")
Power dissipation
TA = 25 °C
Ptot
225 1)
mW
Ptot
300 2)
mW
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Thermal resistance junction to
ambient air
RthJA
556 1)
°C/W
Maximum junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
TS
- 65 to + 175
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5256-V-GS18 | 30 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5256B-V-GS08 | 30 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5258-V-GS18 | 36 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5266-V-GS08 | 68 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5267B-V-GS18 | 75 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5254C-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 27 Volt 0.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5254ELT1 | 功能描述:稳压二极管 27V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5254ELT1G | 功能描述:稳压二极管 27V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5254ELT3G | 功能描述:稳压二极管 27V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5255B | 功能描述:稳压二极管 28V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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