型号: | MMBZ5255BTS-7 |
厂商: | DIODES INC |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 28 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-6 |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 90K |
代理商: | MMBZ5255BTS-7 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MBR7H45/45 | 7.5 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
MBRB10H60 | 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
MBRB15H50CT | 7.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
MBRB16H60/45 | 16 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
MBRB30H45CT/31 | 15 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBZ5255BTS-7-F | 功能描述:稳压二极管 200MW 28V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5255B-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 28 Volt 0.3W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5255B-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 28 Volt 0.3 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5255BW _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
MMBZ5255BW_ R2 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |