型号: | MMBZ5256BS |
厂商: | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 30 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | PLASTIC, SOT-363, 6 PIN |
文件页数: | 1/3页 |
文件大小: | 33K |
代理商: | MMBZ5256BS |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MA1390-L | 38.05 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
MA4062(N)-M | 6.2 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
MA4100(N) | 10.01 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
MA4130-H | 13.7 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
MA4240(N)-L | 23.45 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-34 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBZ5256BS-7 | 功能描述:稳压二极管 30V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5256BS-7-F | 功能描述:稳压二极管 30V 200mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5256BT-7 | 功能描述:稳压二极管 150MW 30V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5256BT-7-F | 功能描述:稳压二极管 150MW 30V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5256B-TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Diode Zener Single 30V 5% 500mW 3-Pin SOT-23 T/R |