型号: | MMBZ5257B |
厂商: | Diodes Inc. |
元件分类: | 参考电压二极管 |
英文描述: | 1.2V ±1% Output Voltage 10uA-20mA Voltage Reference Diode; Package: TO-92 (TO-226) 5.33mm Body Height; No of Pins: 3; Container: Bag/Envelope; Qty per Container: 2000 |
中文描述: | 350mW的表面贴装稳压二极管 |
文件页数: | 2/4页 |
文件大小: | 617K |
代理商: | MMBZ5257B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBZ5259B | Low Noise, Audio Dual Operational Amplifier; Package: SOIC-8 Narrow Body; No of Pins: 8; Container: Rail; Qty per Container: 98 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBZ5257B_D87Z | 功能描述:稳压二极管 33V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5257B_Q | 功能描述:稳压二极管 33V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5257B-7 | 功能描述:稳压二极管 33V 350mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5257B-7-F | 功能描述:稳压二极管 33V 350mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5257B-7-F-31 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:350MW ZENER DIODES (SINGLE) / SOT -23 |