- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录133456 > MMBZ5257B 33 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBZ5257B |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 33 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | MMBZ5257B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMSZ5238 | 8.7 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBD1403AS62Z | 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD1405AD87Z | 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MQ1N4678CTR | 1.8 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH |
| MQ1N4680D-1TR | 2.2 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5257B_D87Z | 功能描述:稳压二极管 33V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5257B_Q | 功能描述:稳压二极管 33V 0.35W Zener RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5257B-7 | 功能描述:稳压二极管 33V 350mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5257B-7-F | 功能描述:稳压二极管 33V 350mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5257B-7-F-31 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:350MW ZENER DIODES (SINGLE) / SOT -23 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。