- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录80871 > MMBZ5257C-V-G-8 (VISHAY SEMICONDUCTORS) 33 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MMBZ5257C-V-G-8 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 33 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | GREEN PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | MMBZ5257C-V-G-8 |
MMBZ5225-V-G to MMBZ5267-V-G
Document Number 85183
Rev. 1.0, 19-Oct-09
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
1
18078
12
3
For technical support, please contact: DiodesSSP@vishay.com
Small Signal Zener Diodes
Features
Silicon planar power zener diodes
Standard zener voltage tolerance is ± 5 %
with a “B” suffix (e.g.: MMBZ5225B-V-G),
suffix “C” is ± 2 % tolerance
High temperature soldering guaranteed:
260 °C/4 x 10 s at terminals
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
and in accordance to WEEE 2002/96/EC
AEC-Q101 qualified
Mechanical Data
Case: SOT23
Weight: approx. 8.8 mg
Packaging codes/options:
-18/10K per 13" reel (8 mm tape), 10K/box
-08/3K per 7" reel (8 mm tape), 15K/box
Absolute Maximum Ratings
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Notes
1) On FR - 5 board using recommended solder pad layout
2) On alumina substrate
Thermal Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Note
1) On FR - 5 board using recommended solder pad layout
** Please see document “Vishay Material Category Policy”: www.vishay.com/doc?99902
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Zener current
(see table “Characteristics”)
Power dissipation
TA = 25 °C
Ptot
225 1)
mW
Ptot
300 2)
mW
Parameter
Test condition
Symbol
Value
Unit
Thermal resistance junction to
ambient air
RthJA
556 1)
°C/W
Maximum junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature range
TS
- 65 to + 175
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMTZJ12A-AP | 11.42 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| MMTZJ2.0B-TP | 2.11 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| MMTZJ22C-AP | 21.62 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| MMTZJ5.6A-TP | 5.41 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| MMTZJ9.1B-TP | 8.79 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5257C-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 33 Volt 0.3W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5257C-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 33 Volt 0.3 Watt 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5257ELT1 | 功能描述:DIODE ZENER 33V 225MW SOT-23 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳（标称）(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
| MMBZ5257ELT1G | 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W 33V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5258B-7 | 功能描述:稳压二极管 36V 350mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。