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参数资料
| 型号： | MMBZ5259BT/R7 |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 39 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | MMBZ5259BT/R7 |
PAGE . 4
June 11.2010-REV.00
MOUNTING PAD LAYOUT
Packing information
T/R - 12K per 13" plastic Reel
T/R - 3K per 7” plastic Reel
ORDER INFORMATION
LEGAL STATEMENT
Copyright PanJit International, Inc 2010
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MMBZ5221B~MMBZ5262B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5242BT/R13 | 12 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
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| MMBZ5258BT/R7 | 36 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMD-0803 | SILICON, STEP RECOVERY DIODE |
| MMD-840-C11 | SILICON, STEP RECOVERY DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5259BTS-7 | 功能描述:稳压二极管 200MW 39V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5259BTS-7-F | 功能描述:稳压二极管 200MW 39V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5259B-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 39 Volt 0.3W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5259B-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 39 Volt 0.3 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5259BW-7 | 功能描述:稳压二极管 200MW 39V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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