型号: | MMBZ5259BVT/R7 |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 39 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
文件页数: | 3/4页 |
文件大小: | 89K |
代理商: | MMBZ5259BVT/R7 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMBZ5262BVT/R7 | 51 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5252BVT/R13 | 24 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5255BVT/R13 | 28 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5257BV | 33 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
MMBZ5239BVT/R13 | 9.1 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBZ5259BW-7 | 功能描述:稳压二极管 200MW 39V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5259BW-7-F | 功能描述:稳压二极管 200MW 39V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5259C-E3-08 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
MMBZ5259C-G3-08 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Zener Diodes 39 Volt 0.225W 2% 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
MMBZ5259C-G3-18 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Zener Diodes 39 Volt 0.225W 2% 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |