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参数资料
| 型号： | MMBZ5259BW |
| 厂商： | RECTRON LTD |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 39 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 245K |
| 代理商： | MMBZ5259BW |
FEATURES
* Planar Die Construction
* 200mW Power Dissipation on FR-4 PCB
* General purpose,Medium Current
*
MECHANICAL DATA
* Case: Molded plastic
MMBZ5223BW-
MMBZ5259BW
Ldeally Suited for Automated Assembly
SOT-323
Dimensions in inches and (millimeters)
2008-12
REV: A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25oC unless otherwise noted )
Max. Instantaneous Forward Voltage at IF= 10mA
CHARACTERISTICS
SYMBOL
UNITS
625
0.9
Volts
oC/W
Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 1)
MAXIMUM RATINGES (@ TA = 25oC unless otherwise noted )
RATINGS
Max. Steady State Power Dissipation @TA=25oC (Note 1)
Max. Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
SYMBOL
PD
TJ
TSTG
RqJA
VF
VALUE
MAX.
-
TYP.
-
MIN.
UNITS
mW
200
-65 to +150
oC
SURFACE MOUNT ZENER DIODE
VOLTAGE RANGE 2.7 to 39 Volts POWER RATING 200 mWatts
Note 1. Valid provided that device terminals are kept at amblent temperaturt.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.
* Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed
* Mounting position: Any
* Weight: 0.006 gram
0.087(2.20)
0.008(0.20)
0.016(0.40)
0.003(0.08)
0.006(0.15)
0.079(2.00)
0.055(1.40)
0.047(1.20)
0.096(2.45)
0.085(2.15)
REF 0.021(0.53)
0.043(1.10)
0.035(0.90)
0.004(0.10)
0.000(0.00)
0.053(1.35)
0.045(1.15)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MADP-007448-11410T | SILICON, PIN DIODE |
| MADP-007448-1146DT | SILICON, PIN DIODE |
| MBRB20080GCT-1PBF | 10 A, 80 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-262AA |
| MX1N4729DPTR | 3.6 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
| MX1N4733PTR | 5.1 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5259BW-7 | 功能描述:稳压二极管 200MW 39V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5259BW-7-F | 功能描述:稳压二极管 200MW 39V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5259C-E3-08 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
| MMBZ5259C-G3-08 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Zener Diodes 39 Volt 0.225W 2% 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
| MMBZ5259C-G3-18 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Zener Diodes 39 Volt 0.225W 2% 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
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