参数资料
型号: MMBZ5261B/E8
厂商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 47 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
封装: PLASTIC PACKAGE-3
文件页数: 3/3页
文件大小: 92K
代理商: MMBZ5261B/E8
MMBZ5225 thru MMBZ5267
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Document Number 88361
www.vishay.com
01-May-02
3
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
相关PDF资料
PDF描述
MMBZ5267B/E8 75 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
MMBZ4618/E8 2.7 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MMBZ4621/E9 3.6 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
MQSMCG5632 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB
MQSMCJ5634A 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB
相关代理商/技术参数
参数描述
MMBZ5261B-G3-08 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23
MMBZ5261B-G3-18 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23
MMBZ5261B-HE3-08 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23
MMBZ5261B-HE3-18 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23
MMBZ5261BLT1 功能描述:稳压二极管 47V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel