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参数资料
| 型号： | MMBZ5261BL |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 47 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | MMBZ5261BL |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5263BL | 56 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5241BL | 11 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5264BL | 60 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5237BL | 8.2 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5262BT/R13 | 51 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5261BLT1 | 功能描述:稳压二极管 47V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5261BLT1G | 功能描述:稳压二极管 47V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5261BLT3 | 功能描述:稳压二极管 47V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5261BLT3G | 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W 47V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5261BTW _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
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