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参数资料
| 型号： | MMBZ5262B/E8 |
| 厂商： | GENERAL SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 51 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | MMBZ5262B/E8 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MV1860E-2% | 2.2 pF, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MSMCG17CAE3TR | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
| MSMCG40CAE3 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
| MSMCG8.5AE3TR | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
| MSMCJ100CAE3 | 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5262B-G3-08 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
| MMBZ5262B-G3-18 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
| MMBZ5262B-HE3-08 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
| MMBZ5262B-HE3-18 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |
| MMBZ5262BLT1 | 功能描述:稳压二极管 51V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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