型号: | MMBZ5262B-V-G-18 |
厂商: | VISHAY SEMICONDUCTORS |
元件分类: | 齐纳二极管 |
英文描述: | 51 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
封装: | GREEN PACKAGE-3 |
文件页数: | 1/5页 |
文件大小: | 78K |
代理商: | MMBZ5262B-V-G-18 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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MMTZJ12B-TP | 11.73 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
MMTZJ2.2B-AP | 2.31 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
MMTZJ24C-AP | 23.62 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
MMTZJ8.2A-AP | 7.72 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
MA15KP160AE3 | 15000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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MMBZ5262B-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 51 Volt 0.3W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5262B-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 51 Volt 0.3 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
MMBZ5262BW _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
MMBZ5262BW_ R2 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
MMBZ5262C-E3-08 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Zener Diodes 51 Volt 0.225W 2% 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23 |