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参数资料
| 型号： | MMBZ5263B/E8 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 56 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | MMBZ5263B/E8 |
MMBZ5225 thru MMBZ5267
Vishay Semiconductors
formerly General Semiconductor
Document Number 88361
www.vishay.com
01-May-02
3
Ratings and
Characteristic Curves (TA = 25°C unless otherwise noted)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPTE-10B | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-201AD |
| MMBZ4624/E9 | 4.7 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMSZ4692 | 6.8 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MQSMCG5632A | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
| MQSMCG5635 | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5263BLT1 | 功能描述:稳压二极管 56V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5263BLT1G | 功能描述:稳压二极管 56V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5263B-V-G-08 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:ZENER DIODE SOT23-e3-G |
| MMBZ5263B-V-GS08 | 功能描述:稳压二极管 56 Volt 0.3W 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5263B-V-GS18 | 功能描述:稳压二极管 56 Volt 0.3 Watt 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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