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参数资料
| 型号： | MMBZ5269BLT1T3 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 87 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 141K |
| 代理商： | MMBZ5269BLT1T3 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ5236BLT1T3 | 7.5 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| MMBZ5249BLT1T3 | 19 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| MMBZ5266BLT1T3 | 68 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| MMBZ5254BLT1T3 | 27 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| MMBZ5231C | 5.1 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MMBZ5270BLT1 | 功能描述:稳压二极管 91V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5270BLT1G | 功能描述:稳压二极管 91V 225mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| MMBZ5V6AL | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE DUAL TVS UN 40W 3V SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, DUAL TVS, UN, 40W, 3V, SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, DUAL TVS, UN, 40W, 3V, SOT23; Reverse Stand-Off Voltage Vrwm:3V; Breakdown Voltage Min:5.32V; Breakdown Voltage Max:5.88V; Clamping Voltage Vc Max:8V; Peak Pulse Current Ippm:3A; Diode Case Style:SOT-23; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| MMBZ5V6AL,215 | 功能描述:ESD 抑制器 1Ch 8V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
| MMBZ5V6AL215 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
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